东北网10月14日电 全球移动存储领导厂商朗科公司日前发布了其最新技术研究成果———“优芯II号”。这是继2003年7月发布“优芯I号”之后，在闪存盘核心技术研究方面获得的又一次突破。

　　据悉，该控制芯片将闪存盘的读写速度从USB1.1标准下的理论速度1.2MB/S、1 MB/S提高到了20MB/S、16MB/S以上，显著提高了20倍；同时，考虑到数据存储的安全性，它还采用了独创的超稳定技术与加密技术，前者通过固化在闪存盘控制芯片中的数据智能备份与恢复软件，有效避免了闪存盘正在进行数据写操作时被非法拔插或突然掉电后，有可能造成闪存盘内已存数据丢失、甚至损坏闪存盘的弊病，该技术将闪存盘的存储安全性提高到了前所未有的高度。

　　此举不仅再一次刷新了闪存盘实际读写速度的最高纪录，也进一步巩固了朗科公司在闪存盘领域全球领先的技术地位。与此同时，随着读写速度与存储安全性的双双提升，闪存盘主流市场在512M以上容量的突破方面所遭遇的速度与安全性瓶颈也将不复存在。这也预示着闪存盘行业将从此步入以G为单位的新时代。